Abstract:
Se estudió la deposición de una película delgada de óxido de zinc sobre un sustrato conductor, que resultó ser transparente, semiconductor de tipo n, y apta para su aplicación en dispositivos fotovoltaicos.
Se utilizó la electrodeposición como técnica de síntesis.
Como reactivos y soporte se utilizaron cloruro de zinc (fuente de zinc y cloro), cloruro de potasio (fuente de cloro y electrolito soporte) y oxígeno gaseoso (fuente de oxígeno). Primero se seleccionó la calidad de los precursores a utilizar. Luego, la concentración del cloruro de zinc permaneció constante en 0.005 mol/L mientras que la de cloruro de potasio se varió entre 0 y 0.2 mol/L. Las demás variables del procesamiento se mantuvieron constantes a excepción del contraelectrodo, donde se seleccionó la configuración óptima optando entre una malla de platino y una chapa de zinc.
La composición química y las propiedades estructurales se caracterizaron mediante difracción de rayos X (DRX), análisis por energía dispersiva de electrones (EDS), microscopía electrónica de barrido (SEM) y perfilometría. Las propiedades ópticas y eléctricas se caracterizaron mediante espectroscopía UV-Visible, fotoluminiscencia y espectroscopía de impedancia electroquímica con el modelo Mott- Schottky.
Mail del autor Micaela Camino <camino.micaela@gmail.com>
