Simulación de ataque químico en sólidos cristalinos mediante modelos atomísticos discretos

Abstract

Este trabajo tiene como objetivo tratar un número de aspectos de la problemática de la evolución de la rugosidad en la superficie del silicio, tanto en los procesos de deposición como de ataque químico húmedo (etching), mediante modelos atomísticos discretos. Se hace énfasis especial en el estudio de las propiedades de Scaling de los modelos y en la obtención de los exponentes de Scaling. Para la simulación de los modelos se ha empleado la técnica de Monte Carlo. Finalmente, se analizaron las morfologías obtenidas en las simulaciones.